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MRAM达成新里程碑,存储产业变革要来了?

发布时间:2018-06-16 18:07:11  浏览次数:

据外(wai)媒(mei)报道,磁性随机存取内存(MRAM)将(jiang)在今(jin)年达到一个新的(de)(de)里程碑。Everspin宣(xuan)布开(kai)始尝(chang)试打(da)造1Gb (128MB)的(de)(de)ST-MRAM芯片(pian),另外(wai)他(ta)们已经(jing)将(jiang)这(zhei)款高(gao)寿命、非易失性的(de)(de)内存芯片(pian)生产提上议程。 Everspin的(de)(de)ST-MRAM能够提供持久(jiu)的(de)(de)记忆能力,相较于普通的(de)(de)NAND闪存技术,它可以减少写入(ru)放(fang)大倍数(shu)并拥有更(geng)好的(de)(de)耐用性。

  这款新(xin)芯(xin)片采用的(de)则(ze)是一个兼容DDR4的(de)接口。这家(jia)公(gong)司表示,供应商可(ke)以利用持(chi)久的(de)记忆技(ji)术设计企业级SSD或对现有的(de)储存产(chan)品展开进(jin)一步的(de)改善。

  据了解,ST-MARAM的(de)(de)密(mi)度要比公(gong)(gong)司旗(qi)下现有的(de)(de)任(ren)何(he)256MB(32MB)芯片大得多。Everspin指(zhi)出,从(cong)Global Foundries的(de)(de)40nm工艺(yi)到(dao)foundry 28nm工艺(yi)的(de)(de)转变是开发这种千(qian)兆级芯片的(de)(de)关(guan)键(jian),另外它还展示(shi)了公(gong)(gong)司垂(chui)直(zhi)磁性隧道结(pMTJ)的(de)(de)可扩展性。

  首批配备Everspin全新千兆MRAM芯片(pian)的(de)产品之一将来(lai)自Smart Modular公司。该公司计(ji)划发布一款NVMe PCIe硬盘,它的(de)重量和长度都将减(jian)半,其将用于元数据缓存和储(chu)存加速应(ying)用。Smart Modular表示,该产品单元在4K随机读(du)写测试中能够达到1500K IOPS。

  眼下,Everspin正在闪(shan)存(cun)峰会(Flash Memory Summit)展(zhan)示他们的(de)1Gb ST-MRAM。

  早在20多年前,由于(yu)其不易挥发的(de)特性(xing),MRAM就被视为取代NAND闪存(cun)的(de)潜在高性(xing)能产品(pin)。不过,从产品(pin)容(rong)量(liang)的(de)角度来说,该技术还远远无法 参(can)与竞争。

  MRAM与快闪(shan)记(ji)(ji)忆(yi)体(ti)不(bu)同,它(ta)(ta)使用了(le)磁(ci)性材料与常规硅电(dian)路相结合记(ji)(ji)录方式(shi),在性能上(shang)(shang)MRAM具有接近SRAM的(de)(de)高速读(du)写能力,以及Flash不(bu)挥发(fa)性的(de)(de)特性,在Cell面积上(shang)(shang)也和(he)DRAM比例相近,而重复读(du)写次数和(he)DRAM、SRAM相同,操作电(dian)压(ya)也近似,可说是集各种(zhong)记(ji)(ji)忆(yi)体(ti)优点于一(yi)体(ti)的(de)(de)产品。它(ta)(ta)的(de)(de)主要竞争对(dui)手是快闪(shan)记(ji)(ji)忆(yi)体(ti),目前一(yi)些公(gong)司如三星、东(dong)芝、Intel正在不(bu)断开发(fa)更(geng)快更(geng)高容(rong)量的(de)(de)闪(shan)存式(shi)存储装置。

  MRAM的(de)(de)优势在于其性能以及低(di)功耗。在未来,内存技(ji)术有(you)望超越(yue)闪存甚至(zhi)是DRAM,达(da)到SRAM的(de)(de)水平。只要获得与闪存和DRAM相同的(de)(de)投资力(li)度以及存在同样大(da)的(de)(de)市场需求,MRAM也有(you)望称为未来主流内存产品(pin)。

来自飞思卡尔的技术(shu)支持?

  大概(gai)十年(nian)前,飞(fei)思卡(ka)(ka)尔半(ban)(ban)导体宣布该公(gong)司(si)将与多(duo)家创投公(gong)司(si)集资成立(li)一(yi)间(jian)以磁(ci)(ci)性随机存(cun)取存(cun)储(chu)器(MRAM)为主要产品(pin)的(de)独(du)立(li)新公(gong)司(si)——EverSpin Technologies,致力于提供并扩充现有的(de)独(du)立(li)MRAM产品(pin)线(xian)及相(xiang)关磁(ci)(ci)性产品(pin)。据(ju)悉(xi)飞(fei)思卡(ka)(ka)尔半(ban)(ban)导体将把磁(ci)(ci)阻(zu)式随机存(cun)储(chu)器的(de)相(xiang)关知识产权移交给(ji)Everspin科技,而Everspin的(de)后盾则是风险投资公(gong)司(si)例如Venture Partners、Sigma Partners、Lux Capital、Draper Fisher Jurvetson和Epic Ventures等。

  飞思卡(ka)尔表示将会(hui)把原有的(de)MRAM技术(shu)、相关(guan)的(de)IP及产品(pin)转移给EverSpin Technologies,但在新公(gong)司内仍保(bao)有一定的(de)股份权益。飞思卡(ka)尔亦(yi)将继续研(yan)制(zhi)以EverSpin之MRAM技术(shu)为根基(ji)的(de)嵌(qian)入(ru)式产品(pin)。

  该(gai)公(gong)司表示,MRAM将磁性材(cai)质与传统硅晶(jing)线路(lu)结合在单一的永久耐用元件当中,不但(dan)兼具SRAM的速(su)度,也具备(bei)快闪存储(chu)器的非(fei)挥(hui)发性。MRAM元件的设计将非(fei)挥(hui)发性存储(chu)器及RAM的优势合而为一,让新型(xing)的智(zhi)慧(hui)型(xing)电子(zi)装置能拥有“立(li)即开启”及防备(bei)断(duan)电的功能。

  根据(ju)协议,EverSpin Technologies会取得MRAM制(zhi)造资产的所有权,并以亚利桑那州的Chandler为基地,继(ji)续供应产品给飞(fei)思(si)(si)卡尔(er)现有的个别(bie)MRAM用(yong)户。此外,EverSpin会提供MRAM技术给飞(fei)思(si)(si)卡尔(er),以便运用(yong)于飞(fei)思(si)(si)卡尔(er)的嵌入式产品。




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